中芯IGBT单管：击穿电压覆盖650V至1200V，配合先进的封装技术，为您提供10A至75A的电流选择范围。它的特点是：开关速度快、驱动功率小、饱和压降低、容量大。多应用于：4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、国防军工、新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。

中芯IGBT单管典型型号推荐：LGT40N65/LGT50N65/LGT75N65，LGT15N120/LGT40N120/LGT50N120/LGT75N120

中芯是一家专注功率半导体器件研发、封装测试、销售于一体的国家高新技术企业，致力于成为卓越的功率半导体器件制造商，助力功率半导体核心器件国产化，能够为客户提供高质量，高可靠性的功率器件产品及全方位的技术支持，现有肖特基、LowVF肖特基、快恢复、高压MOS、中低压MOS、超结MOS、IGBT单管及SiC(碳化硅)二极管等主力产品线，产品广泛应用于各类电源适匹器、LED照明、无刷马达，锂电管理，逆变等领域。