各位工程师应该已经发现了，我们在使用Si MOSFET的时候，只需要使用10V的驱动电压就可以了，但是换成SiC MOSFET的时候，我们需要更高的驱动电压，一般会达到15-20V之间。这就使得我们在使用SiC MOSFET去替代Si MOSFET的时候需要对驱动电路的驱动电压进行一个调整之后才能使用。

       那么到底是什么原因，不得不大费周章去使用成高的 驱动电压来驱动SiC MOSFET呢？

       首先，我们来看下SiC MOSFET和Si MOSFET的转移特性曲线对比，Si MOSFET当VGS达到8V之后，即使继续增大VGS，SJ-MOSFET也无法输出更大的电流了。这就说明就算我们去使用超过10V的驱动电压也没办法再进一步提升SJ-MOSFET的通流能力。SiC MOSFET的IDS如图所示，是一直随着VGS的增大而增大的。

       转移特性上的一点区别也会体现在输出特性上。Si MOSFET当VGS大于8V的之后，输出特性曲线基本是重合的，这与转移特性曲线在VGS大于8V完全水平这一特征吻合。SiC MOSFET即使驱动电压高于15V，而不同VGS下的曲线依旧有非常明显的间隔。只有使用更高的驱动电压我们才能获得更小的 RDS（on），充分挖掘SiC MOSFET的通流能力。但是Si MOSFET就没这个需求了。

       中芯是一家专注功率半导体器件研发、封装测试、销售于一体的国家高新技术企业，致力于成为卓越的功率半导体器件制造商，助力功率半导体核心器件国产化，能够为客户提供高质量，高可靠性的功率器件产品及全方位的技术支持，现有肖特基、LowVF肖特基、快恢复、高压MOS、中低压MOS、超结MOS、IGBT单管及SiC（碳化硅）二极管等主力产品线，产品广泛应用于各类电源适匹器、LED照明、无刷马达，锂电管理，逆变等领域。