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FAQ
MOS管器件损坏的原因与简单的检测方式是怎样的呢?

来源:中芯半导体 时间:2024/4/24 10:03:34

造成损坏的原因可能有几个
    1.缺少保护电路。一般来说电路中应适当设置保护电路。以吸收电路中的瞬间高压。浪涌电压。保护关键元件.
    2.参数选取不合理。没有余地。效应管的耐压。电流都应该流有一定的余地. 以保证正常使用。如果参数选取过于保守。基本相当于工作在超负荷下。时间长了则容易损坏。
    3.元件没有经过认真筛选。老化或者根本就没有选用高质量的元件。在使用当中损坏的几率当然很大。
    4.偶然的结果。主板本身有一定的损坏几率。
碰到类似问题的时候可以对物料进行一个检测:
问题1:如何用数字式万用表检测场效应管的好与坏?
问题2:如何用数字式万用表判断场效应管的D、S、G极?
问题3:如何用数字式万用表判断场效应管的类型(是N沟道还是P沟道)?
检测方式如下
例:N沟道
1.红表笔接第一个脚。黑表笔分别接其它两个脚。此时万用表上没有读数。也就是说没有反应。那么红表笔接的是G极.    
2.红表笔接第2个脚黑表笔接第3个脚,有读数。也就是说是通的。红表笔不动。黑表笔接到G极(已经测出来了)。然后黑表笔再接第三个脚。发现不通了。(这说明MOS管9.9成是好的)。(第2个脚和第三个脚是通的是因为第一个步骤已经给它充电了。后来不通是因为红表笔接第2个脚黑表笔接第一个脚的时候已经给它放电了)。
3.红表笔接第3个脚。黑表笔接第2个脚。有读数。那么此时红表笔接的是S极。黑表笔接的是D极.