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FAQ
MOS管的推挽速度是什么?

来源:中芯半导体 时间:2024/4/24 9:56:47

当MOS管驱动能力不足时,我们会使用推挽电路来放大电流,但是MOS管明明是压控型器件,为什么要去考虑电流大小呢?推挽工作原理:由电源IC发出占空比信号,也就是这个方波通过电阻限流,到达三极管的基极。这里的上管是NPN,下管是PNP。当信号为高电平输出,到达三极管基极时,上管导通,随后MOS管导通。当输出低电平时,上管截止下管导通。随后MOS管通过电阻放电到地,最后截止。


也就是说推挽电路通过两个三极管轮流工作,进行一推一挽来达到推挽的功能。这里的R1的作用,是用来确定开机时候的初始电位,以防开机误触发MOS管以及关机放电。


我们通常会使用推挽电路是因为有时一些IC或者CPU的电流比较小,不足以驱动MOS管,所以加入推晚来增加驱动能力。那为什么MOS管是压控性器件,还需要考虑电流大小进行驱动呢?它最大的峰值驱动电流这是一个IC直接驱动电路,首先需要从IC手册中了解,它最大的峰值驱动电流。C1 C2决定了MOS管被驱动时的导通速度,当IC电流比较小时,C1 C2会比较大,这时MOS管的驱动速度会变慢,在有些电路中是不适应的。原因很简单,这是因为MOS管的输入电容CGS和CGD,这两个电容和芯片的面积有一定关系。MOS管本质上虽然是压控型器件,但栅极电位的上升与下降,本质上是对CGS CGD电容的充放电速度。因此当MOS管驱动能力不足时,就需要利用推挽来进行放大电流了。

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