超结MOS是英文Super Junction 的直译也叫Cool MOS是在普通MOS基础上使用新型超结结构设计的MOS管。

  超结MOS是在提高NEPI的掺杂浓度的同时，利用在NEPI中加入P柱，形成更大的PN结，在器件返偏时，形成很厚的PN耗尽层，以达到高的隔离电压。

超结MOS管主要在500V、600V、650V及以上高电压场合使用。

  超结MOSFET有哪些优点呢？

  1、超结MOSFET与传统的VDMOS相比，具有导通电阻低、开关速度快、芯片体积小、发热低的特点。

  一般来说，相同电流、电压规格的超结MOSFET导通电阻仅为传统VDMOS的一半左右，器件开通和关断速度较传统VDMOS下降30%以上。这些特点可以使超结MOSFET在替代传统VDMOS时具有更好的温升和效率表现，一般来说，使用超结MOSFET后，电源效率可以上升1～2百分点。同时超结MOSFET也完全可以与驱动IC一起进行集成封装，大幅度降低产品体积。

 2、 超级结具有更小的结电容。对超级结器件而言，电阻的减小会带来明显的好处，例如在相同RDS(on)下的更低导通损耗或更小管芯。

    另外，芯片面积的减小会导致更低的结电容以及栅极和输出电荷，这可减小动态损耗。在低压沟槽式或平面式MOS管中，通常需要考虑以更高结电容为让步条件来降低RDS(on)。在超级结技术情况下，让步程度是最小的。电荷平衡机制可同时减小RDS(on)和器件结电容，使之成为一种双赢解决方案。

凌讯微提供多种Cool MOS型号供选择，具有内阻低、抗冲击能力强、结电容低、品质稳定等特点。