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高耐压超结MOS场效应管 LC65R600F

来源:中芯半导体 时间:2022/7/8 14:33:47

   凌讯微电子品牌LC65R600在TO-220F封装里采用的是1颗芯片,电性参数为7A650V的一款高耐压超结MOS管(COOL MOS)。

   LC65R600的漏源导通电阻(RDS On)为520mΩ,栅源电压(Vgs)为±30V,FET类型为N沟道,其最低工作温度为-50℃,最高工作温度为+150℃。共有3条引脚,2条线。超结MOSFET与传统的VDMOS相比,具有导通电阻低、开关速度快、芯片体积小、发热低的特点。

   以上就是关于LC65R600 TO-220F超结MOS(COOL MOS)的介绍。如续规格书的PDF格式,请到产品选项表页自行下载。

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